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    Everspin AEC认证的汽车应用MRAM

    2020-07-16 09:40:04

    MRAM是一种使用电子自旋来存储信息的存储技术。MRAM具有成为通用存储器的潜力-能够将存储存储器的密度与SRAM的速度结合在一起,同时始终保持非易失性和高能效。Everspin MRAM可以抵抗高辐射,可以在极端温度条件下运行,并且可以防篡改。这使得MRAM适用于汽车,工业,军事和太空应用。Everspin总代理英尚微电子提供技术支持产品解决方案。
     
    下面介绍Everspin AEC认证的汽车应用MRAM
     
    MRAM非易失性存储器几乎可以在任何汽车系统中提高性能并降低成本

     
    •以全总线速度保存数据
    •意外断电后立即恢复状态
    •提供AEC Q-100合格的1级(-40 / 125°C)和3级(-40 / 85°C)
    ?;び屑壑档氖莶⒔档统杀綧RAM内存是保留宝贵的车辆数据,简化设计并降低BOM成本的最佳解决方案。

     
    ?;け笫莸淖罴呀饩龇桨?br /> •不需要额外的内存用于磨损均衡
    •消除了昂贵的电容器
    •不再需要功率损耗检测电路
    •简化系统固件,始终保持非易失性

     
    简化并降低BOM成本
    •无限的耐用性,可安全保存程序代码
    •快速写入-以系统总线速度工作的内存
    •非易失性,数据保持温度> 20年
    •不需要电容器,电池或缓冲液
     
    最大化控制系统的数据访问
    MRAM在保持非易失性的同时最大化数据收集率

     
    由于较长的读/写周期,耐用性限制而导致数据丢失

     
    无遗漏数据,写入速度与SRAM一样快,非易失性,无磨损,电源故障期间无数据丢失
     
    MRAM像SRAM一样是快速写入的,而像Flash一样也是非易失性的,但是不需要页面擦除或长写入周期。事件数据可以以总线速度保存到MRAM,并且即使意外断电或掉电也可以保持持久性。
     
    Everspin AEC认证的汽车应用MRAM
     

    汽车应用Serial MRAM

    Density Org. Part Number Pkg. Voltage Temp Order Multiple /Tray MOQ / T&R
    256Kb 32Kx8 MR25H256MDFR 8-DFN sf 3.3v AEC-Q100 Grade 1 570 4000
    256Kb 32Kx8 MR25H256MDCR 8-DFN 3.3v AEC-Q100 Grade 1 570 4000
    1Mb 128Kx8 MR25H10MDC 8-DFN 3.3V AEC-Q100 Grade 1 570 4,000
    256Kb 32Kx8 MR25H256MDC 8-DFN 3.3V AEC-Q100 Grade 1 570 4,000
    4Mb 512Kx8 MR25H40MDF 8-DFN sf 3.3V AEC-Q100 Grade 1 570 4,000
    1Mb 128Kx8 MR25H10MDF 8-DFN sf 3.3V AEC-Q100 Grade 1 570 4,000
    256Kb 32Kx8 MR25H256MDF 8-DFN sf 3.3V AEC-Q100 Grade 1 570 4,000
    256Kb 32Kx8 MR25H256AMDFR 8-DFN sf 3.3v AEC-Q100 Grade 1 570 4000
    256Kb 32Kx8 MR25H256AMDF 8-DFN sf 3.3v AEC-Q100 Grade 1 570 4000
    1Mb 128Kx8 MR25H10MDFR 8-DFN sf 3.3v AEC-Q100 Grade 1 570 4000
    1Mb 128Kx8 MR25H10MDCR 8-DFN 3.3v AEC-Q100 Grade 1 570 4000
    4Mb 512Kx8 MR25H40MDFR 8-DFN sf 3.3v AEC-Q100 Grade 1 570 4000
    128Kb 16Kx8 MR25H128AMDF 8-DFN sf 3.3v AEC-Q100 Grade 1 570 4,000
    128Kb 16Kx8 MR25H128AMDFR 8-DFN sf 3.3v AEC-Q100 Grade 1 570 4,000

     汽车应用Parellel MRAM
    Density Org. Part Number Pkg. Voltage Temp MOQ(pcs) / Tray MOQ(pcs)/ T&R
    4Mb 256Kx16 MR2A16AMYS35 44-TSOP2 3.3V AEC-Q100 Grade 1 270 1,500
    1Mb 64Kx16 MR0A16AMYS35 44-TSOP 3.3V AEC-Q100 Grade 1 270 1,500
    4Mb 512Kx8 MR2A08AMYS35 44-TSOP 3.3V AEC-Q100 Grade 1 1,500 270
    4Mb 512Kx8 MR2A08AMYS35R 44-TSOP2 3.3v AEC-Q100 Grade 1 1500 270
    1Mb 64Kx16 MR0A16AMYS35R 44-TSOP2 3.3v AEC-Q100 Grade 1 270 1500
    4Mb 256Kx16 MR2A16AMYS35R 44-TSOP2 3.3v AEC-Q100 Grade 1 270 1500
    2Mb 128Kx16 MR1A16AMYS35 44-TSOP2 3.3v AEC-Q100 Grade 1 270 1500
    2Mb 128Kx16 MR1A16AMYS35R 44-TSOP2 3.3v AEC-Q100 Grade 1 270 1500


    本文关键词:MRAM   汽车MRAM

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